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IXFL38N100Q2

HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

IXYS

IXYS Corporation

IXFB38N100Q2

HiPerFETTMPowerMOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXFK38N100Q2

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=250mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Switched-modeandresonant-modepowersupplies ·DCchoppers ·Pulsegenerators

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFN38N100Q2

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=250mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Switched-modeandresonant-modepowersupplies ·DCchoppers ·Pulsegenerators

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFN38N100Q2

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRgHighdV/dt,Lowtrr

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRgHighdV/dt,Lowtrr Features ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance ?Fastintrinsic

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數

  • 型號：

    IXFL38N100Q2

  • 功能描述：

    MOSFET Q2-Class HiperFET 1000, 22A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
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TO-264 PLUS
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ISOPLUS264?
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多IXFL38N100Q2供應商 更新時間2024-10-24 8:30:00

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