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IXFN200N10P	文件：91.89 Kbytes Page：5 Pages	Polar HiPerFET Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR200N10	文件：329.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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IXFX200N10	文件：327.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive ·ACandDCMotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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IXTK200N10P	文件：564.92 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTTMPowerMOSFET PolarHT?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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詳細參數(shù)

型號：
IXFN200N10P
功能描述：
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	IXFN200N10P	IXYS	24+	SOT-227B	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市斌騰達科技有限公司	IXFN200N10P	IXYS	19+/20+	SOT-227B	1000	主打產(chǎn)品價格優(yōu)惠.全新原裝正品	詢價
深圳和潤天下電子科技有限公司	IXFN200N10P	IXYS/艾賽斯	23+	SOT-227	56230	原裝正品華強現(xiàn)貨	詢價
深圳市凱斯宇科技有限公司	IXFN200N10P	IXYS	2022	SOT-227B	58	原廠原裝正品,價格超越代理	詢價
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更多IXFN200N10P供應(yīng)商更新時間2024-10-24 20:37:00

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