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IXFN32N100P

Polar Power MOSFET HiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFK32N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFK32N100P

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·ACandDCmotorcontrols ·LaserDrivers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFK32N100P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFK32N100P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFR32N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=340mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFR32N100P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFX32N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

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無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX32N100P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFN32N100P

  • 功能描述：

    MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
24+
SOT-227B
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
19+/20+
SOT-227B
865
主打產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)惠.全新原裝正品
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
SOT-227
26008
原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IXYS
23+
MOSFETN-CH1000V27ASOT-22
1690
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價(jià)
IXYS
2023+
MODULE
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
18+
MODULE
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時(shí)可以發(fā)貨
 詢價(jià)
IXYS
24+
SOT227
266
詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
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IXYS
1809+
SOT-227
326
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22+
NA
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更多IXFN32N100P供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-22 14:13:00

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