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IXFN180N20

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12.5Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·BatteryChargers ·DCChoppers ·PowerFactorCorrection(PFC) ·DC-DCConverters ·HighSpeedPowerSwitchingApplication

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFN180N20

HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

HiPerFETTMPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackage ?miniBLOCwithAluminumNitrideIsolation ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicRectifier ?LowRDS(on)andQG Advantages ?Easy

IXYS

IXYS Corporation

IXFN180N20

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN180N20_V01

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

DD180N20S

Solder-BondTechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IXFE180N20

HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET

HiPerFET?PowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?ConformstoSOT-227Boutline ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance ?

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數

  • 型號：

    IXFN180N20

  • 功能描述：

    MOSFET 200V 180A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
艾賽斯/IXYS
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主打模塊,大量現貨供應商QQ2355605126
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原裝正品現貨庫存價優(yōu)
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IXYS
專業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營-可開原型號增稅票
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更多IXFN180N20供應商 更新時間2024-12-31 14:01:00

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