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IXFK120N30P3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=27mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFK120N30P3

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

Polar3?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode Features ?Dynamicdv/dtRating ?AvalancheRated ?FastIntrinsicDiode ?LowQG ?LowRDS(on) ?LowDrain-to-TabCapacitance ?LowPackageInductance Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavi

IXYS

IXYS Corporation

IXFX120N30P3

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode

Polar3?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode Features ?Dynamicdv/dtRating ?AvalancheRated ?FastIntrinsicDiode ?LowQG ?LowRDS(on) ?LowDrain-to-TabCapacitance ?LowPackageInductance Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavi

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXFK120N30P3

  • 功能描述：

    MOSFET

  • N-Channel：

    Power MOSFET w/Fast Diode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-264AA(IXFK)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
56230
原裝正品 華強(qiáng)現(xiàn)貨
 詢價
IXYS
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價
IXYS
1931+
N/A
36
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IXYS
1809+
TO-264
326
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IXYS
22+
NA
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IXYS
22+
TO2643 TO264AA
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
23+
TO2643 TO264AA
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價
更多IXFK120N30P3供應(yīng)商 更新時間2025-2-8 18:48:00

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