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IXFN38N100Q2

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRgHighdV/dt,Lowtrr Features ?Doublemetalprocessforlowgateresistance ?miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance ?Fastintrinsic

IXYS

IXYS Corporation

IXFN38N100Q2

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=250mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Switched-modeandresonant-modepowersupplies ·DCchoppers ·Pulsegenerators

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFN38N100Q2_08

HiPerFET Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFL38N100P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN38N100P

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN38N100P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackage ?EncapsulatingEpoxymeetsUL94V-0,FlammabilityClassification ?miniBLOCwithAluminiumNitrideIsolation ?FastRecoveryDiode ?AvalancheRated ?Lowpackageinductance Advantag

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IXFN38N100Q

  • 功能描述:

    MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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SOT227
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原裝現(xiàn)貨,特價供應(yīng)
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IXYS/艾賽斯
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原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗歡迎詢價
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IXYS/艾賽斯
23+
NA
3800
有掛有貨原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十
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Littelfuse/IXYS
23+
SOT-227
7800
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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IXYS/艾賽斯
23+
SOT-227
325680
原裝正品 華強現(xiàn)貨
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德國IXYS艾塞斯
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12000
原裝正品假一罰十支持實單
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IXYS/艾賽斯
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MODULE
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主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
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更多IXFN38N100Q供應(yīng)商 更新時間2024-12-31 17:00:00