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IXFR102N30

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=36mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFR102N30P

PolarHT HiPerFET Power MOSFET

PolarHT?HiPerFETPowerMOSFET(ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicDiodeAvalancheRated Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Intern

IXYS

IXYS Corporation

IXFK102N30P

PolarHTHiPerFETPowerMOSFET

PolarHT?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicDiode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackage ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?

IXYS

IXYS Corporation

IXFK102N30P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=102A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFN102N30P

PolarHVHiPerFETPowerMOSFET

PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Internationalstandardpackage ?EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification ?miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ?Fastrecoverydiode ?UnclampedInducti

IXYS

IXYS Corporation

IXTK102N30P

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTK102N30P

PolarHTPowerMOSFET

PolarHT?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFR102N30

  • 功能描述：

    MOSFET 54 Amps 300V 0.033 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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N/A
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ISOPLUS247
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公司只做原裝正品
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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IXYS/艾賽斯
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ISOPLUS247
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原裝正品，支持實(shí)單
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microsemi
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一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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IXYS
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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IXYS/艾賽斯
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ISOPLUS247
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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更多IXFR102N30供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-7 10:18:00

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