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IXFV12N90P

Polar Power MOSFET HiPerFET

Polar?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicDiode Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications: ?Sw

IXYS

IXYS Corporation

IXFV12N90P

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFV12N90PS

Polar Power MOSFET HiPerFET

Polar?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?InternationalStandardPackages ?AvalancheRated ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicDiode Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications: ?Sw

IXYS

IXYS Corporation

IXFV12N90PS

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFZ12N90

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXGH12N90C

HiPerFASTIGBTLightspeedSeries

Features ?VeryhighfrequencyIGBT ?NewgenerationHDMOSTMprocess ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247 ?Highpeakcurrenthandlingcapability Applications ?PFCcircuit ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?Switch-modeandresonant-modepowersupplies ?High

IXYS

IXYS Corporation

IXGX12N90C

HiPerFASTIGBTLightspeedSeries

IXYS

IXYS Corporation

IXTH12N90

MegaMOSFET

MegaMOS?FET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTH12N90

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrentID=12A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage-:VDSS=900V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.9Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariations

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTM12N90

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFV12N90P

  • 功能描述：

    MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
23+
TO-220-3
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS220
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
22+
TO2203 Short Tab
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IXYS
21+
TO2203 Short Tab
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
PLUSTO-220
12300
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS220
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-220-3(SMT)標(biāo)片
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO-220-3
67990
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
PLUS220
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價(jià)
更多IXFV12N90P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 15:32:00

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