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IXGK55N120A3H1

GenX3 1200V IGBTs w/ Diode

Ultra-Low-VsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching Features ?OptimizedforLowConductionLosses ?Anti-ParallelUltraFastDiode Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?PowerInverters ?UPS ?MotorDrives ?SMPS ?PFCCircuits ?BatteryChargers ?

IXYS

IXYS Corporation

IXGK55N120A3H1

Package：TO-264-3，TO-264AA；包裝：托盤(pán) 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 125A 460W TO264

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IXYS Corporation

IXGR55N120A3H1

Ultra-Low-VsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching

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IXYS Corporation

IXGX55N120A3H1

GenX31200VIGBTsw/Diode

Ultra-Low-VsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching Features ?OptimizedforLowConductionLosses ?Anti-ParallelUltraFastDiode Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?PowerInverters ?UPS ?MotorDrives ?SMPS ?PFCCircuits ?BatteryChargers ?

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGK55N120A3H1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，55A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    5.1mJ（開(kāi)），13.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    23ns/365ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，55A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-264（IXGK）

  • 描述：

    IGBT 1200V 125A 460W TO264

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
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N/A
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TO-264
326
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IXYS/艾賽斯
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TO-264
10000
公司只做原裝正品
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TO264 (IXGK)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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IXYS
21+
TO264 (IXGK)
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-264
6000
原裝正品，支持實(shí)單
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TO-264(IXGK)
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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IXYS/艾賽斯
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TO-264
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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IXYS(艾賽斯)
23+
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7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
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更多IXGK55N120A3H1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-22 10:18:00

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