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IXGR55N120A3H1

Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching

IXYS

IXYS Corporation

IXGR55N120A3H1

包裝:托盤 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247

IXYS

IXYS Corporation

IXGK55N120A3H1

GenX31200VIGBTsw/Diode

Ultra-Low-VsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching Features ?OptimizedforLowConductionLosses ?Anti-ParallelUltraFastDiode Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?PowerInverters ?UPS ?MotorDrives ?SMPS ?PFCCircuits ?BatteryChargers ?

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IXYS Corporation

IXGX55N120A3H1

GenX31200VIGBTsw/Diode

Ultra-Low-VsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching Features ?OptimizedforLowConductionLosses ?Anti-ParallelUltraFastDiode Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?PowerInverters ?UPS ?MotorDrives ?SMPS ?PFCCircuits ?BatteryChargers ?

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IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXGR55N120A3H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,55A

  • 開關(guān)能量:

    5.1mJ(開),13.3mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    23ns/365ns

  • 測試條件:

    960V,55A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ISOPLUS247?

  • 描述:

    IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGR55N120A3H1供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 10:18:00