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IXGR60N60C3C1

GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

HighSpeedPTIGBTfor40-100kHzSwitching Features ?SiliconChiponDirect-CopperBond (DCB)Substrate ?OptimizedforLowSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?IsolatedMountingSurface ?Anti-ParallelUltraFastDiode ?HighSpeedSiliconCarbideSchottky Co-PackDiode -NoReve

IXYS

IXYS Corporation

IXGR60N60C3C1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGR60N60C3C1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    830μJ（開），450μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    24ns/70ns

  • 測試條件：

    480V，40A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGR60N60C3C1供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 10:18:00

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