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MPCK15N120A

ZeroReverseRecoveryCurrent

Features ?ZeroReverseRecoveryCurrent ?ZeroForwardRecoveryVoltage ?Temperature-independentSwitchingBehavior ?PositiveTemperatureCoefficientonVF ?High-speedswitchingpossibleandsurgecurrentcapability Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?MotorDrives ?PowerFacto

FS

First Silicon Co., Ltd

NGTB15N120FLWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB15N120IHLWG

Incorporatedintothedeviceisaruggedco??ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB15N120IHRWG

MonolithicFreeWheelingDiode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB15N120IHWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB15N120LWG

Incorporatedintothedeviceisaruggedco??ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RLPGB15N120CT

IGBT

Features 1200V,15A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=15A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SGB15N120

FastIGBTinNPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB15N120

FastIGBTinNPT-technology

FastIGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS ?NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeha

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGH15N120RUF

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswher

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGT15N120B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    1.75mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    25ns/180ns

  • 測試條件：

    960V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A 180W TO268

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGT15N120B供應(yīng)商 更新時間2025-3-12 15:30:00

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