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IXSQ20N60B2D1

包裝:管件 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 35A 190W TO3P

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXSQ20N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,16A

  • 開關(guān)能量:

    380μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    30ns/116ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 35A 190W TO3P

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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公司只做原裝正品
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更多IXSQ20N60B2D1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-25 15:30:00