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IXST24N60B

High Speed IGBT

VCES=600V IC25=48A VCE(sat)=2.5V tfityp=170ns Features Internationalstandardpackages GuaranteedShortCircuitSOAcapability LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplic

IXYS

IXYS Corporation

IXST24N60BD1

High Speed IGBT

VCES=600V IC25=48A VCE(sat)=2.5V tfityp=170ns Features Internationalstandardpackages GuaranteedShortCircuitSOAcapability LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplic

IXYS

IXYS Corporation

IXST24N60BD1

Package：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 48A 150W TO268

IXYS

IXYS Corporation

24N60PN

24A,600VDPMOSPOWERTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION SVS24N60F(FJ)(PN)(T)D2isanN-channelenhancementmodehigh voltagepowerMOSFETproducedusingSilan’sDPMOStechnology.It achieveslowconductionlossandswitchinglosses.Itleadsthedesign engineerstotheirpowerconverterswithhighefficiency,highpower densit

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司

DAM24N60C

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

FIR24N60ANG

N-ChannelPowerMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FQA24N60

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQA24N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=23.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISPP24N60CFD

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.185? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISPW24N60CFD

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤185m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXST24N60B

  • 制造商：

    IXYS

  • 制造商全稱(chēng)：

    IXYS Corporation

  • 功能描述：

    High Speed IGBT

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-268
8866
詢價(jià)
IXYS
23+
TO-268
10692
全新原裝
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
32322
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO268
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
 詢價(jià)
IXYS
24+
TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片
9350
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
更多IXST24N60B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 10:02:00

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