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IXTH110N25

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH110N25T

TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

IXYS

IXYS Corporation

IXFH110N25T

TrenchHVPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFV110N25T

TrenchGatePowerHiperFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFV110N25TS

TrenchGatePowerHiperFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTV110N25TS

TrenchTMPowerMOSFETsN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXTH110N25

  • 功能描述：

    MOSFET 110 Amps 250V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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更多IXTH110N25供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 11:10:00

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