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IXTH1N200P3HV

N-Channel Enhancement Mode

IXYS

IXYS Corporation

IXTA1N200P3HV

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTH1N200P3

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=2000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=40Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·HighVoltagePowerSupplies ·CapacitorDischarge ·PulseCircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH1N200P3

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXTH1N200P3HV供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 14:14:00