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IXTH2N150L

N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated

IXYS

IXYS Corporation

A2N150TW

FORMULAULMoldedCaseCircuitBreakers

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IXTH2N150

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·HighVoltagePowerSupplies ·CapacitorDischargeApplications ·PulseCircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTH2N150

N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode

IXYS

IXYS Corporation

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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更多IXTH2N150L供應商 更新時間2025-1-8 18:11:00

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