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IXTH4N150	文件：347 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·PulseCircuits ·CapacitorDischargeApplications ·HighVoltagePowerSupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH4N150	文件：118.64 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTJ4N150	文件：160.02 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT4N150HV	文件：204.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MP4N150	文件：479.42 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical18pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
MP4N150-GA-BR	文件：479.42 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical18pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
P4N150	文件：762.25 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STFV4N150	文件：249.12 Kbytes Page：13 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-TO-220FHVeryhighvoltagePowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STFV4N150	文件：459.62 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-PowerMESH??PowerMOSFETTO-220-TO-220FH-TO-247-TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STFV4N150	文件：244.37 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL1500V-5-ohm-4ATO-220FHVeryHighVoltagePowerMESH-TMMOSFET Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESHOVERLAY?process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofveryhighvoltagePowerMOSFETswithoutstandingperformances. Thestrengthenedlayoutcoupledwiththecompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STFW4N150	文件：762.25 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STFW4N150	文件：335.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrentID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STFW4N150	文件：459.62 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-PowerMESH??PowerMOSFETTO-220-TO-220FH-TO-247-TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STP4N150	文件：762.25 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STP4N150	文件：365.47 Kbytes Page：14 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-TO-220/TO-247VeryhighPowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STP4N150	文件：459.62 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-PowerMESH??PowerMOSFETTO-220-TO-220FH-TO-247-TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STP4N150	文件：310.71 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL1500V-5-4ATO-220/TO-247VeryHighVoltagePowerMESHMOSFET Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESHOVERLAY?process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofveryhighvoltagePowerMOSFETswithoutstandingperformances. Thestrengthenedlayoutcoupledwiththecompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STP4N150	文件：332.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STW4N150	文件：332.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STW4N150	文件：762.25 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXTH4N150	IXYS	24+	TO-247(IXTH)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
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深圳市科雨電子有限公司	IXTH4N150	IXYS	1809+	TO-247	326	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXTH4N150	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	10000	公司只做原裝正品	詢價
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXTH4N150	IXYS	22+	TO2473	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
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更多IXTH4N150供應(yīng)商更新時間2025-1-18 16:46:00

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