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IXTP12N50P

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTP12N50PM

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTP12N50PM

PolarTM Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

JCS12N50C

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS12N50CC-O-C-N-B

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS12N50FC-O-F-N-B

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS12N50SC-O-S-N-A

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS12N50SC-O-S-N-B

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

MDF12N50

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF12N50B

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF12N50BTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDF12N50BTH

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF12N50F

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.75ohm

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF12N50FTH

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.75ohm

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF12N50TH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDF12N50TH

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP12N50

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP12N50B

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP12N50BTH

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP12N50BTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTP12N50P

  • 功能描述：

    MOSFET 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS
24+
TO-220
233
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IXYS
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TO-220
6200
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更多IXTP12N50P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 18:11:00

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