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IXTN30N100L

Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS

IXYS Corporation

IXTN30N100L

N-Channel Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTN30N100L_V01

N-Channel Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

BW-30N100W

N-TypeFixedAttenuator

MINI

Mini-Circuits

IGW30N100T

LowLossIGBT:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology

LowLossIGBT:IGBTinTrenchStop?andFieldstoptechnology ?TrenchStop?andFieldstoptechnologyfor1000Vapplications offers: -lowVCEsat -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -positivetemperaturecoefficientinVCEsat ?Designedf

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

HighSpeed2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

SoftSwitchingSeries

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100T

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100T

SoftSwitchingSeries

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IXFK30N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX30N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTB30N100L

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=450mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·TemperatureandLightingControls

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTB30N100L

PowerMOSFETswithExtendedFBSOA

IXYS

IXYS Corporation

RM30N100LD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTN30N100L

  • 功能描述：

    MOSFET 30 Amps 1000V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
23+
SOT-227
10000
全新現(xiàn)貨現(xiàn)貨，假一賠十
 詢價
IXYS
24+
SOT-227B
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打產(chǎn)品價格優(yōu)惠.全新原裝正品
 詢價
IXYS/艾賽斯
18+
MODULE
1290
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
 詢價
IXYS
23+
30A1000V
800
全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價格優(yōu)勢!
 詢價
IXYS
23+
MOSFETN-CH1000V30ASOT-22
1700
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價
IXYS
10+
主營模塊
85
原裝正品,公司正品供應(yīng)
 詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IXYS
2023+
MODULE
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
IXYS
18+
2173
公司大量全新正品 隨時可以發(fā)貨
 詢價
更多IXTN30N100L供應(yīng)商 更新時間2024-12-20 16:30:00

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