首頁 >IHW30N100R>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載&訂購功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

IHW30N100R

HighSpeed 2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

Soft Switching Series

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100R_08

Soft Switching Series

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100T

SoftSwitchingSeries

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N100T

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IXFK30N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX30N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTB30N100L

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=450mΩ(Max)@VGS=20V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·TemperatureandLightingControls

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTB30N100L

PowerMOSFETswithExtendedFBSOA

IXYS

IXYS Corporation

IXTN30N100L

PowerMOSFETswithExtendedFBSOA

IXYS

IXYS Corporation

IXTN30N100L

N-ChannelPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

RM30N100LD

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IHW30N100R

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    2.1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/846ns

  • 測試條件:

    600V,30A,26 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
英飛翎
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+23+
TO247
13133
16年電子元件現(xiàn)貨供應(yīng)商 終端BOM表可配單提供樣品
詢價(jià)
INFINEON
24+
PG-TO247-3
8866
詢價(jià)
INFINEON
23+
TO247
8600
全新原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
INFINEON
24+
TO-247
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
INFINEON
2023+
TO-247
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
詢價(jià)
INFINEON
1503+
TO247-3
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-247
6530
公司只做原裝正品
詢價(jià)
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
詢價(jià)
更多IHW30N100R供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-14 10:00:00