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IHW30N100R分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IHW30N100R
廠商型號

IHW30N100R

參數(shù)屬性

IHW30N100R 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

功能描述

Soft Switching Series
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

330 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-13 22:50:00

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IHW30N100R規(guī)格書詳情

IHW30N100R屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW30N100R晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IHW30N100R

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    2.1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    -/846ns

  • 測試條件:

    600V,30A,26 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
23+
30A,1000V
20000
全新原裝假一賠十
詢價
INFINEON
12+
TO-247
187
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
INFINEON/英飛凌
25+
3P
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
INFINEON/英飛凌
23+
NA/
13133
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-247
15000
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨
詢價
Infineon(英飛凌)
23+
19850
原裝正品,假一賠十
詢價
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
詢價
INFINEON/英飛凌
19+
3P
50000
詢價
Infineon Technologies
21+
TO2473
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
INFINEON
23+
TO247
8600
全新原裝現(xiàn)貨
詢價