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IXTP180N055T	文件：117.16 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate Power MOSFET TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP180N055T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個描述：MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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NP180N055TUJ	文件：217.83 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) ?LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP180N055TUK	文件：111.71 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP180N055TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.40mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) ?LowCiss:Ciss=10700pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicati	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IXTP180N055T
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
包裝：
管件
FET 類型：
N 通道
技術(shù)：
MOSFET（金屬氧化物）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
180A（Tc）
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：
4V @ 1mA
安裝類型：
通孔
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
封裝/外殼：
TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	IXTP180N055T	IXYS	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IXTP180N055T	IXYS	23+	TO-220-3	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXTP180N055T	I	23+	TO220	10000	公司只做原裝正品	詢價
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深圳市芯福林電子科技有限公司	IXTP180N055T	IXYS	21+	TO2203	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXTP180N055T	IXYS	23+	TO2203	9000	原裝正品，支持實單	詢價
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更多IXTP180N055T供應(yīng)商更新時間2025-2-3 9:03:00

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