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2N5930

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2N5930

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?DCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=10A ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2N5930

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage

SEME-LAB

Seme LAB

SF_2N5930

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage

SEME-LAB

Seme LAB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MOT/RCA
24+
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更多J2N5930供應商 更新時間2025-3-14 15:30:00

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