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JANTXV2N6353分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

JANTXV2N6353
廠商型號

JANTXV2N6353

參數(shù)屬性

JANTXV2N6353 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 150V 5A TO66

功能描述

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

55.76 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-10 22:30:00

JANTXV2N6353規(guī)格書詳情

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/472

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    JANTXV2N6353

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/472

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 10mA,5A

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,5V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 150V 5A TO66

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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