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LMG3422R050_V02

LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

1Features ?QualifiedforJEDECJEP180forhard-switching topologies ?600VGaN-on-SiFETwithintegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200V/nsFEThold-off –3.6MHzswitchingfrequency –20V/nsto150V/nsslewrateforoptimizationof switchingperformancea

TI1Texas Instruments

德州儀器

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更多LMG3422R050_V02供應(yīng)商 更新時間2025-4-30 16:06:00

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