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LMG3422R050RQZR

Marking：LMG3422R050；Package：VQFN；LMG342xR050 600-V 50-m廓 GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

1Features ?QualifiedforJEDECJEP180forhard-switching topologies ?600-VGaN-on-SiFETwithIntegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200-V/nsCMTI –3.6-MHzswitchingfrequency –20-V/nsto150-V/nsslewrateforoptimization ofswitchingperformanceand

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

LMG3422R050RQZR

Marking：LMG3422R050；Package：VQFN；LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

1Features ?QualifiedforJEDECJEP180forhard-switching topologies ?600VGaN-on-SiFETwithintegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200V/nsFEThold-off –3.6MHzswitchingfrequency –20V/nsto150V/nsslewrateforoptimizationof switchingperformancea

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LMG3422R050RQZR

Package：54-VQFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 全半橋驅(qū)動器 描述：600-V 50-M GAN FET WITH INTEGRAT

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LMG3422R050

LMG342xR050600V50mΩGaNFETWithIntegratedDriver,Protection,andTemperatureReporting

1Features ?QualifiedforJEDECJEP180forhard-switching topologies ?600VGaN-on-SiFETwithintegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200V/nsFEThold-off –3.6MHzswitchingfrequency –20V/nsto150V/nsslewrateforoptimizationof switchingperformancea

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LMG3422R050

LMG342xR050600-V50-m廓GaNFETWithIntegratedDriver,Protection,andTemperatureReporting

1Features ?QualifiedforJEDECJEP180forhard-switching topologies ?600-VGaN-on-SiFETwithIntegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200-V/nsCMTI –3.6-MHzswitchingfrequency –20-V/nsto150-V/nsslewrateforoptimization ofswitchingperformanceand

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LMG3422R050RQZT

LMG342xR050600-V50-m廓GaNFETWithIntegratedDriver,Protection,andTemperatureReporting

1Features ?QualifiedforJEDECJEP180forhard-switching topologies ?600-VGaN-on-SiFETwithIntegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200-V/nsCMTI –3.6-MHzswitchingfrequency –20-V/nsto150-V/nsslewrateforoptimization ofswitchingperformanceand

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德州儀器美國德州儀器公司

LMG3422R050RQZT

LMG342xR050600V50mΩGaNFETWithIntegratedDriver,Protection,andTemperatureReporting

1Features ?QualifiedforJEDECJEP180forhard-switching topologies ?600VGaN-on-SiFETwithintegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200V/nsFEThold-off –3.6MHzswitchingfrequency –20V/nsto150V/nsslewrateforoptimizationof switchingperformancea

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LMG342xR050600-V50-m廓GaNFETWithIntegratedDriver,Protection,andTemperatureReporting

1Features ?QualifiedforJEDECJEP180forhard-switching topologies ?600-VGaN-on-SiFETwithIntegratedgatedriver –Integratedhighprecisiongatebiasvoltage –200-V/nsCMTI –3.6-MHzswitchingfrequency –20-V/nsto150-V/nsslewrateforoptimization ofswitchingperformanceand

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    LMG3422R050RQZR

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 全半橋驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 輸出配置：

    半橋

  • 應(yīng)用：

    通用

  • 接口：

    PWM

  • 負(fù)載類型：

    電感，電容性，電阻

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    43 毫歐

  • 電流 - 輸出/通道：

    1.2A

  • 電流 - 峰值輸出：

    1.2A

  • 電壓 - 供電：

    7.5V ~ 18V

  • 電壓 - 負(fù)載：

    7.5V ~ 18V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 特性：

    自舉電路，閂鎖功能，壓擺率受控型

  • 故障保護(hù)：

    過流，超溫，UVLO

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    54-VQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    54-VQFN（12x12）

  • 描述：

    600-V 50-M GAN FET WITH INTEGRAT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TI
25+
(RQZ)
6000
原廠原裝,價格優(yōu)勢!13246658303
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只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
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50000
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更多LMG3422R050RQZR供應(yīng)商 更新時間2025-4-30 16:06:00

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