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M470T3354CZ0-E6中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

M470T3354CZ0-E6
廠商型號

M470T3354CZ0-E6

功能描述

DDR2 Unbuffered SODIMM

文件大小

270.33 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 11:03:00

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M470T3354CZ0-E6規(guī)格書詳情

Features

? Performance range

? JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply

? VDDQ = 1.8V ± 0.1V

? 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin

? 4 Banks

? Posted CAS

? Programmable CAS Latency: 3, 4, 5

? Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4

? Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1

? Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)

? Programmable Sequential / Interleave Burst Mode

? Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)

? Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment

? On Die Termination with selectable values(50/75/150 ohms or disable)

? PASR(Partial Array Self Refresh)

? Average Refresh Period 7.8us at lower than a TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95 °C

- support High Temperature Self-Refresh rate enable feature

? Package: 60ball FBGA - 64Mx8 , 84ball FBGA - 32Mx16

? All of Lead-free products are compliant for RoHS

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    M470T3354CZ0-E6

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    DDR2 Unbuffered SODIMM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SAMSUNG/三星
23+
13000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
N/A
2447
SMD
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
詢價
SAMSUNG/三星
23+
NA
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
SAMSUNG
22+23+
New
32133
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
詢價
SAMSUNG(三星)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
詢價
SAMSUNG/三星
22+
23509
鄭重承諾只做原裝進口貨
詢價
SMART
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
SAMSUNG
24+
SODIMM
35200
一級代理/放心采購
詢價
SMART
0644
DDR1SO-DIMM/256MBDDR1SO/
239
原裝香港現(xiàn)貨真實庫存。低價
詢價
SAM
24+
37
詢價