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M58LT128HST8ZA6F

128-Mbit (8 Mb ?16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

M58LT128HST8ZA6F

128 Mbit (8 Mb ?16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories

NUMONYX

numonyx

M58LT128HST8ZA6F TR

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：80-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80LBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

M58LT128HST8ZA6

128Mbit(8Mb?16,multiplebank,multilevelinterface,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

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M58LT128HST8ZA6E

128Mbit(8Mb?16,multiplebank,multilevelinterface,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

numonyx

M58LT128HST8ZA6E

128-Mbit(8Mb?16,MultipleBank,Multilevelinterface,Burst)1.8Vsupply,SecureFlashmemories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

M58LT128HST8ZA6T

128Mbit(8Mb?16,multiplebank,multilevelinterface,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

numonyx

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    M58LT128HST8ZA6F

  • 功能描述：

    IC FLASH 128MBIT 85NS 64TBGA

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    60

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型：

    EEPROM

  • 存儲容量：

    16K(2K x 8)

  • 速度：

    2MHz

  • 接口：

    SPI 3 線串行

  • 電源電壓：

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    8-DIP（0.300，7.62mm）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    8-PDIP

  • 包裝：

    管件

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1449(CN2011-ZH PDF)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Micron
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更多M58LT128HST8ZA6F供應(yīng)商 更新時間2025-1-8 11:07:00

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