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M58LT128HST8ZA6F TR

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：80-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80LBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

M58LT128HST8ZA6

128Mbit(8Mb?16,multiplebank,multilevelinterface,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

numonyx

M58LT128HST8ZA6E

128Mbit(8Mb?16,multiplebank,multilevelinterface,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

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M58LT128HST8ZA6E

128-Mbit(8Mb?16,MultipleBank,Multilevelinterface,Burst)1.8Vsupply,SecureFlashmemories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

M58LT128HST8ZA6F

128Mbit(8Mb?16,multiplebank,multilevelinterface,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

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M58LT128HST8ZA6F

128-Mbit(8Mb?16,MultipleBank,Multilevelinterface,Burst)1.8Vsupply,SecureFlashmemories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

M58LT128HST8ZA6T

128Mbit(8Mb?16,multiplebank,multilevelinterface,burst)1.8Vsupply,secureFlashmemories

NUMONYX

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    M58LT128HST8ZA6F TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    128Mb（8M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    85ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 2V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    80-LBGA

  • 供應商器件封裝：

    80-LBGA（10x12）

  • 描述：

    IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80LBGA

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原裝正品現(xiàn)貨庫存QQ:2987726803
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更多M58LT128HST8ZA6F TR供應商 更新時間2024-11-8 14:30:00

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