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MTM12N06	文件：260.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP12N06	文件：279.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP12N06	文件：222.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.180OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP12N06EZL	文件：222.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.180OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
RFD12N06	文件：503.43 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
RFD12N06LESM	文件：897.04 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RFD12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063?,VGS=10V -rDS(ON)=0.071?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFD12N06RLE	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A,60V,0.135Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD12N06RLESM	文件：896.99 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RFD12N06RLESM	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A,60V,0.135Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD12N06RLESM	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063?,VGS=10V -rDS(ON)=0.071?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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RFP12N06RLE	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A,60V,0.135Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063?,VGS=10V -rDS(ON)=0.071?,VGS=5V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFP12N06RLE	文件：1.31321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SDP12N06	文件：1.1062 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SG12N06DP	文件：202.12 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
SG12N06DP	文件：198.75 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG12N06DT	文件：108.84 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SG12N06DT	文件：112.49 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT

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更多MCQ12N06供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 10:34:00

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