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MDF6N60	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 6A, 1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF6N60TH	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 6A, 1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP6N60	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6A,1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP6N60TH	文件：1.10094 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6A,1.4ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MSF6N60	文件：1.2097 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB6N60	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB6N60	文件：160.56 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB6N60E	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTS TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTH6N60	文件：232.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerFieldEffectTransistor	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTH6N60	文件：293.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTM6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM6N60	文件：282.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP6N60	文件：119.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor DESCRITION ?Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ?DrainCurrent-ID=6A@TC=25°C ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.2Ω(Max) ?AvalancheEnergySpecified ?FastSwitching ?SimpleDriveRequirement	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP6N60	文件：153.57 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
MTP6N60	文件：295.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP6N60E	文件：156.71 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=1.2OHMS TMOSE-FET? PowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstand	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP6N60E	文件：177.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市鵬和科技有限公司	MDF6N60	MAGNACHIP	24+	TO-220	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	MDF6N60	NA	19+		83723	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價(jià)
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深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	MDF6N60	MAGNACHIP/美格納	23+	TO-220F	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	MDF6N60	MAGNACHIP MagnaChip	23+	TO-220 TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MDF6N60	MAGNACHIP	22+	TO-220F	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)

更多MDF6N60供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 10:20:00

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