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MTB6N60E	文件：192.39 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB6N60E1	文件：160.56 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB6N60E1	文件：214.29 Kbytes Page：7 Pages	High Energy PowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTH6N60	文件：232.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerFieldEffectTransistor	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTH6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTH6N60	文件：293.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTM6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM6N60	文件：91.92 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM6N60	文件：282.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP6N60	文件：153.57 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
MTP6N60	文件：119.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor DESCRITION ?Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ?DrainCurrent-ID=6A@TC=25°C ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.2Ω(Max) ?AvalancheEnergySpecified ?FastSwitching ?SimpleDriveRequirement	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP6N60	文件：295.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP6N60E	文件：177.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP6N60E	文件：156.71 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET6.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=1.2OHMS TMOSE-FET? PowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstand	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP6N60E	文件：295.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTW6N60E	文件：69.57 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTW6N60E	文件：321.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDT6N60	文件：1.85147 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
NDT6N60P	文件：1.35598 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MTB6N60E
制造商：
ON Semiconductor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MTB6N60E	onsemi(安森美)	23+	-	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢(xún)價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	MTB6N60E	ON	23+	TO-263	6893		詢(xún)價(jià)
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	MTB6N60E		24+	N/A	1182		詢(xún)價(jià)
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	MTB6N60E	mot	24+	N/A	6980	原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票	詢(xún)價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	MTB6N60E	MOT	2018+	TO263	6528	只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫(kù)存放心	詢(xún)價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	MTB6N60E	MOT	22+23+	TO263	72872	絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	MTB6N60E	MOTOROLA/摩托羅拉	22+	SOT-263	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢(xún)價(jià)
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	MTB6N60E	MOTOROLA	22+	SOT-263	28600	只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級(jí)代理	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MTB6N60E	MOTOROLA/摩托羅拉	23+	TO263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	MTB6N60E	MOTOROLA	23+	SOT-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)

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