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MTB6N60

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB6N60

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB6N60E

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswith

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB6N60E1

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAK-SLStraightLead N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB6N60E1

High Energy PowerFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTH6N60

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

MTH6N60

PowerFieldEffectTransistor

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTH6N60

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

MTH6N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTM6N60

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MTB6N60

  • 制造商：

    MOTOROLA

  • 制造商全稱：

    Motorola, Inc

  • 功能描述：

    TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MOTOROLA/摩托羅拉
24+
2000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
ON
24+
TO-263
504539
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
MOTOROLA
24+
TO-263
4341
詢價
ON
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
MOTOROLA
24+
TO-263
16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
 詢價
MOTOROLA
08+
2000
普通
 詢價
ON/安森美
23+
TO-263
10000
公司只做原裝正品
 詢價
MOTOROLA/摩托羅拉
2022+
2000
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
MOTOROLA/摩托羅拉
21+
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價
MOTOROLA/摩托羅拉
23+
SOT-263
15040
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
更多MTB6N60供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 16:36:00

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