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ME2N60	文件：1.08606 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MSD2N60	文件：868.16 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF2N60	文件：957.34 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSQ2N60	文件：354.18 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSU2N60	文件：780.35 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSU2N60S	文件：780.24 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB2N60E	文件：271.17 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTS	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTB2N60E	文件：269.88 Kbytes Page：10 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTN2N60CFP	文件：526.45 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN2N60DFP	文件：526.09 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN2N60FP	文件：295.12 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP2N60	文件：219.5 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP2N60	文件：301.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP2N60E	文件：219.5 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTP2N60E	文件：112.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage?blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE?FETisdesignedtowithstandhi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP2N60E	文件：215.56 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP2N60E	文件：1.08666 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NDT2N60	文件：1.66584 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
NDT2N60P	文件：1.64864 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
NJ2N60	文件：833.61 Kbytes Page：6 Pages	2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ

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更多MDI2N60供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-5 16:08:00

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