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MGB15N35CLT4

IgnitionIGBT15Amps,350VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGB15N35CLT4

InternallyClampedN-ChannelIGBT

InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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ON/安森美
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ON/安森美
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更多MGB15N35CLT4G供應(yīng)商 更新時間2025-2-26 15:00:00