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MGF1902B中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MGF1902B
廠商型號

MGF1902B

功能描述

TAPE CARRIER LOW NOISE GaAs FET???

文件大小

210.25 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡稱

Mitsubishi三菱電機(jī)

中文名稱

三菱電機(jī)株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-22 23:00:00

MGF1902B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGF1902B is a low noise GaAs FET with an N-channel Schottky gate, which is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metal ceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.

FEATURES

● Low noise figure NF min = 4.0 dB (MAX.) @ f = 12 GHz

● High associated gain GS = 5.0 dB (MAX.) @ f = 12 GHz

APPLICATION

S to X band low noise amplifiers and oscillators

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MGF1902B

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    TAPE CARRIER LOW NOISE GaAs FET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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