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MID122	文件：223.27 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNDARLINGTONTRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MJD122	文件：137.52 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Features ?D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?LeadFormedforSurfaceMountApplications ?ElectricallySimilartoPopularTIP122 ?ComplementtoMJD127	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
MJD122	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Features ?D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?LeadFormedforSurfaceMountApplications ?ElectricallySimilartoPopularTIP122 ?ComplementtoMJD127	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJD122	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES100VOLTS20WATT Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) ?LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) ?Sur	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJD122	文件：81.7 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
MJD122	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJD122	文件：232.98 Kbytes Page：9 Pages	LowvoltagepowerDarlingtontransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
MJD122	文件：277.83 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanerTransistors Features ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
MJD122	文件：244.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNDARLINGTONTRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MJD122	文件：683.2 Kbytes Page：4 Pages	NPNPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS Features: HighDCcurrentgain ElectricallysimilartopopularTIP122 *Built-inadamperdiodeatE-C	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MJD122	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJD122	文件：246.92 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifierandlo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MJD122	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJD122	文件：211.88 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS HammerDrivers,AudioAmplifiersApplications PowerLinearandSwitchingApplications	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJD122	文件：315.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MJD122	文件：408.73 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD122	文件：1.15875 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR（NPN） FEATURES ?HighDCCurrentGain ?ElectricallySimilartoPopularTIP122 ?Built-inaDamperDiodeatE-C	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
MJD122	文件：2.2067 Mbytes Page：3 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR（NPN） Feature ●HighDCCurrentGain ●ElectricallySimilartoPopularTIP122 ●Built-inaDamperDiodeatE-C	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 蘇海德半導體蘇海德半導體有限公司	HDSEMI
MJD122	文件：205.51 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS HammerDrivers,AudioAmplifiersApplications PowerLinearandSwitchingApplications	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJD122	文件：337.92 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanerTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC

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詳細參數(shù)

型號：
MHS122KG
制造商：
TE Connectivity
功能描述：
Slide Switches

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市駿創(chuàng)達科技有限公司	MHS122RA04	TE/泰科	2420+	/	216469	一級代理,原裝正品!	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	MHS123	APEM	24+		608900	一站配齊原盒原包現(xiàn)貨朱S Q2355605126	詢價
深圳市艾宇特電子科技有限公司	MHS123	APEM	23+		6500	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!	詢價
深圳市賽爾通科技有限公司	MHS12304	TycoElectron	23+		65480		詢價
深圳市鼎欣微電子有限公司	MHS12304	TYCOELECTRONICS	23+		98000		詢價
深圳市閱創(chuàng)想科技有限公司	MHS12304	TE/泰科	24+		7073	原廠現(xiàn)貨渠道	詢價
深圳市科雨電子有限公司	MHS123K	APEM	20+	開關(guān)元件	2896	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	MHS123K	Apem	22+	NA	1265	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
深圳市星佑電子有限公司	MHS13034WH00T	FCIELECTRONI	05+	原廠原裝	10862	只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應	詢價
上海金慶電子技術(shù)有限公司	MHS133	ALCOSWITCH	新		69	全新原裝貨期兩周	詢價

更多MHS122KG供應商更新時間2025-1-4 16:26:00

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