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MJD200	文件：236.97 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS5AMPERES25VOLTS12.5WATTS SILICONPOWERTRANSISTORS5AMPERES25VOLTS12.5WATTS MJD200NPN MJD210PNP NPN/PNPSiliconDPAKForSurfaceMountApplications ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJD200	文件：236.97 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors ComplementaryPlasticPowerTransistors NPN/PNPSiliconDPAKForSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low?power,high?gainaudioamplifierapplications. Features ?Collector?EmitterSustainingVoltage?VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain?hFE	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200	文件：45.78 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MJD200	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200	文件：302.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeampliferandlow Speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD200G	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200G	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200G	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200RL	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200RLG	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200RLG	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200RLG	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE200	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	5AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON25VOLTS15WATTS ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage— VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain—hFE=70(Min)@IC=500mAdc High	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJE200	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications. Features ?Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain-hFE=70(Min)@IC=500mAdc	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE200	文件：42.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Feature ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=65MHz@IC=100mA(Min.) ?ComplementtoMJE210	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MJE200	文件：242.53 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?LowCollector–EmitterSaturationVoltage- ?DCCurrentGain-BandwidthProduct ?HighDCCurrentGain ?ComplementtoMJE210 APPLICATIONS ?Designedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJE200	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE200	文件：339.37 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE200,MJE210typesarecomplementarysilicontransistorsdesignedforhighgainamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central

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詳細參數(shù)

型號：
MI-P200-IXX
制造商：
VICOR
制造商全稱：
Vicor Corporation
功能描述：
Military Chassis Mount DC-DC Converters 10 to 300W Single, Dual, Triple Outputs

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳兆威電子有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ	23+	SMD	311	原裝正品--可開增值稅發(fā)票量大可訂貨	詢價
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ/佳邦	24+	SMD	1200	全新原裝數(shù)量均有多電話咨詢	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ	20+	SMD	56200	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
中科航電（深圳）電子集團有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ/佳邦		N/A	90000	公司集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-	詢價
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更多MI-P200-IXX供應(yīng)商更新時間2024-12-27 8:25:00

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