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MJ11016

DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200°C

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJ11016

POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W)

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighGainDarlingtonPerformance ?HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@IC=20A ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShun

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

MJ11016

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS)

SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS

WINGSWing Shing Computer Components

永盛電子永盛電子(香港)有限公司

MJ11016

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ..designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: *HighGainDarlingtonPerformance *HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@lc=20A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MJ11016

Power Transistors

PowerTransistors TO-3Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

MJ11016

SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS

CDIL

Continental Device India Limited

MJ11016

Silicon PNP Darlington Power Transistor

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

MJ11016

High-Current Complementary Silicon Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJ11016

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJ11016

High-Current Complementary Silicon Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJ11016

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS NPN DARL 120V 30A TO204

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJ11016G

High-Current Complementary Silicon Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJ11016NPN

SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS

CDIL

Continental Device India Limited

MJ11016G

包裝:管件 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS NPN DARL 120V 30A TO204

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    MJ11016

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    30A

  • 最大工作頻率:

    >4MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BDX68C,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    120

  • htest:

    4000100

  • atest:

    30

  • wtest:

    200

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJ11016

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    4V @ 300mA,30A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 20A,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    4MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 120V 30A TO204

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
M
24+
TO 3
157379
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
MOT
24+
TO-3
4000
原裝原廠代理 可免費(fèi)送樣品
詢價(jià)
MOTOROLA/摩托羅拉
17+
TO-3
31518
原裝正品 可含稅交易
詢價(jià)
ON
1430+
TO-3
5800
全新原裝,公司大量現(xiàn)貨供應(yīng),絕對(duì)正品
詢價(jià)
MOTOROLA
24+
SOP20(大)
2250
100%全新原裝公司現(xiàn)貨供應(yīng)!隨時(shí)可發(fā)貨
詢價(jià)
MOT
24+
TO-3
10000
詢價(jià)
MOT
23+
TO-3
6680
全新原裝優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
ONS
24+
原廠封裝
1500
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
ON
16+
TO-3P
10000
全新原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
MOT
23+
TO-3
5000
原裝正品,假一罰十
詢價(jià)
更多MJ11016供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 19:09:00