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MJD112-251中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJD112-251
廠商型號(hào)

MJD112-251

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

296.52 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-20 19:46:00

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MJD112-251規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·High DC current gain

·Lead formed for surface mount applications

·Built-in a damper diode at E-C

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier

and low speed switching applications.

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