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MJD112-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多MJD112-251供應(yīng)商 更新時間2025-3-20 9:29:00

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