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MJD253-251中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MJD253-251
廠商型號(hào)

MJD253-251

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

298.31 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 10:46:00

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MJD253-251規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= -100V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A

APPLICATIONS

· Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
23+
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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