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MJD253-251中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJD253-251
廠商型號

MJD253-251

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

298.31 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-14 11:05:00

MJD253-251規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= -100V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= -0.3V(Max) @IC= -0.5A

APPLICATIONS

· Designed for low power audio amplifier and low-current,

high-speed switching applications

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ONSemiconductor
18+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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