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MJE3055

TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GeneralPurposeandSwitchingApplications

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

MJE3055

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:10A Collector-basevoltage V(BR)CBO:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

MJE3055

TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES GeneralPurposeandSwitchingApplications

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

MJE3055A

ComplementarySiliconpowertransistors(10A/60V/75W)

DESCRIPTION TheMJE3055Aisasiliconepitaxial-baseplanarNPNtransistorinTO-220ABpackage. ltisintendedforuseingeneral-purposeamplifierandswitdingapplications. ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955A. FEATURES ●Designedforgeneral-purposeswitchingandamplifierapplications.

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

MJE3055AT

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJE3055T

SILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION Complementary,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose

WINGSWing Shing Computer Components

永盛電子永盛電子(香港)有限公司

MJE3055T

NPN(GENERALPURPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS)

GENERALPUPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS DCCURRENTGAINSPECIFIEDTO10AMPERES HighCurrentGain-BandwidthProduct(fT=25°C)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

MJE3055T

GeneralPurposeandSwitchingApplications

GeneralPurposeandSwitchingApplications ?DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A ?HighCurrentGain-BandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJE3055T

POWERTRANSISTORS(10A,60V,75W)

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS.

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

MJE3055T

10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS75WATTS

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingapplications. ?DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes ?HighCurrentGain—BandwidthProduct— fT=2.0MHz(Min)@IC=500mAdc

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD3055RLG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    8V @ 3.3A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 10A DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MJD3055RLG供應(yīng)商 更新時間2025-3-14 23:00:00

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