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MJD31C

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications. ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) ?LeadFormedVersionin16mmTapeandReel(“T4”Suff

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

MJD31C

Marking：MJD31C；Package：DPAK；100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:MJD32C 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration ?Elect

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

MJD31C

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.2V(Max)@IC=3A ·ComplementtoTypeMJD32C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD31C

Low voltage NPN power transistor

Description Thedeviceismanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Surface-mountingTO-252powerpackagein tapeandreel ■ComplementarytothePNPtyp

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJD31C

Low voltage NPN power transistor

Description ThedeviceismanufacturedinPlanartechnologywith“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Generalfeatures ■Thisdeviceisqualifiedforautomotiveapplication ■Surface-mounting

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJD31C

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD31C

isc Silicon NPN Power Transistors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD31C

100V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

MJD31C

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD31C

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    MJD31C

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    15W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    G-217

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    3

  • wtest：

    15

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJD31C

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.2V @ 375mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 3A，4V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 3A DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
DIODES
SOT-252
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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