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MJE182 | Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 ??60 ??80 VOLTS 12.5 WATTS | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
MJE182 | Silicon NPN Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
MJE182 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
MJE182 | Package：TO-225AA，TO-126-3；包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 80V 3A SOT32-3 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 1200 VOLTS 35 and 75 WATTS TheMJE/MJF18204haveanapplicationspecificstate–of–the–artdiededicatedtotheelectronicballast(“l(fā)ightballast”)andpowersupplyapplications. ?ImprovedGlobalEfficiencyDuetoLowBaseDriveRequirements: —HighandFlatDCCurrentGainhFE —FastSwitching —NoCoilRequi | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
POWER TRANSISTORS SWITCHMODE?NPNBipolarPowerTransistorforElectronic LightBallastandSwitchingPowerSupplyApplications TheMJE/MJF18204haveanapplicationspecificstate–of–the–artdiededicatedtotheelectronicballast(“l(fā)ightballast”)andpowersupplyapplications. ?ImprovedGlobalEfficiencyDue | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 1200 VOLTS 40 and 100 WATTS TheMJE/MJF18206haveanapplicationspecificstate–of–the–artdiededicatedtotheelectronicballast(“l(fā)ightballast”)andpowersupplyapplications. ?ImprovedGlobalEfficiencyDuetoLowBaseDriveRequirements: —HighandFlatDCCurrentGainhFE —FastSwitching —NoCoilRequi | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
POWER TRANSISTORS SWITCHMODE?NPNBipolarPowerTransistorforElectronic LightBallastandSwitchingPowerSupplyApplications TheMJE/MJF18206haveanapplicationspecificstate–of–the–artdiededicatedtotheelectronicballast(“l(fā)ightballast”)andpowersupplyapplications. ?ImprovedGlobalEfficiencyDue | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Complementary Plastic Silicon Power Transistors ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors TheMJE170/180seriesisdesignedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. Features ?Collector?EmitterSustainingVoltage? VCEO(sus)=40Vdc?MJE170,MJE180 =60Vdc?MJE171, | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 ??60 ??80 VOLTS 12.5 WATTS | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
3A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD179,BD189,BD237,BD441,SDD373C,
- 最大耗散功率：
12.5W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-21
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
12.5
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MJE182
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.7V @ 600mA，3A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 100mA，1V
- 頻率 - 躍遷：
50MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-32-3
- 描述：
TRANS NPN 80V 3A SOT32-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
17048 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢價(jià) | ||
24+ |
5000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||||
ON |
1215+ |
TO-126 |
150000 |
全新原裝,絕對(duì)正品,公司大量現(xiàn)貨供應(yīng). |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
原廠封裝 |
3050 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST |
05+ |
原廠原裝 |
6951 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ON |
16+ |
TO-126 |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
STMicro. |
23+ |
SOT-32 |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
ON/ST |
23+ |
TO-126 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
SOT-32 |
2789 |
原裝優(yōu)勢(shì)!絕對(duì)公司現(xiàn)貨! |
詢價(jià) |
