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MTD2955E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTD2955E

PowerFieldEffect

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD2955V

TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.230OHM

TMOSV?PowerFieldEffectTransistorDPAKForSurfaceMountP–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD2955V

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRDS(O

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MTD2955V

PowerMOSFET12A,60VP-ChannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD2955V

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.23Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTD2955VG

PowerMOSFET12A,60VP-ChannelDPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD2955VG

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

MTP2955

TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.230OHM

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevi

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP2955D

TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.230OHM

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevi

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJF2955

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 3.3A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220FP

  • 描述：

    TRANS PNP 90V 10A TO220FP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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MOTOROLA/摩托羅拉
22+
TO-220F
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原裝正品
 詢價
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