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MMBTH24分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH24
廠商型號

MMBTH24
參數(shù)屬性

MMBTH24 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3
功能描述

NPN RF Transistor
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

36.91 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-5 8:08:00

晶體管資料

  • 型號：

    MMBTH24

  • 別名：

    MMBTH24三極管、MMBTH24晶體管、MMBTH24晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質：

    射頻/高頻放大 （HF）_通用 （G）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    40

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.3

MMBTH24規(guī)格書詳情

NPN General Purpose Amplifier

? This device is designed for common-emitter low noise

amplifier and mixer applications with collector currents

in the 100mA to 20mA range to 300MHz, and low

frequency drift common-base VHF oscillator

applications with high output levels for driving FET

mixers.

? Sourced from process 47.

? See MPSH11 for characteristics.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBTH24

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    30V

  • 頻率 - 躍遷：

    400MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 8mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
DIODES/美臺
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鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
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