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MRF1517NT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF1517NT1
廠商型號(hào)

MRF1517NT1

參數(shù)屬性

MRF1517NT1 封裝/外殼為PLD-1.5;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5

功能描述

RF Power Field Effect Transistor

封裝外殼

PLD-1.5

文件大小

277.99 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 15:38:00

MRF1517NT1規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5 volt portable FM equipment.

? Specified Performance @ 520 MHz, 7.5 Volts

Output Power — 8 Watts

Power Gain — 14 dB

Efficiency — 70

? Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 9.5 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive

Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Excellent Thermal Stability

? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF1517NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    520MHz

  • 增益:

    14dB

  • 額定電流(安培):

    4A

  • 功率 - 輸出:

    8W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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