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MRF18085BR3

RF Power Field Effect Transistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMA,andmulticarrieramplifierapplications. ?GSMandGSMEDGEPerformance,FullF

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

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更多MRF18085BR3供應商 更新時間2025-1-17 15:29:00

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